16Gbダイを8枚積層した次世代ビデオメモリ

Samsungは、HBMインターフェイスを採用する第3世代グラフィックスカード向けビデオメモリ「HBM2E」を発表。2020年前半より量産を開始する。

「HBM2E」では、10nm（1y）世代の16Gbit DRAMメモリを8枚積層することで、「HBM2」の2倍にあたる16GBの大容量を実現。また回路の最適化により転送速度も向上しており、メモリ帯域は410GB/secを達成。さらに将来的には「HBM2」（307GB/sec）の約1.75倍となる538GB/secまで引き上げることができるという。

なおSamsungでは、スーパーコンピュータやAI駆動型のデータ分析、最先端のグラフィックスシステムを中心に「HBM2E」を拡大する予定。また従来の「HBM2」についても当面の間は供給が続けられる。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/