次世代スマートフォン向け高速・低消費電力メモリ

キオクシアは、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」とコントローラチップを一体化した、JEDEC UFS Version 3.1インターフェイス準拠の組込フラッシュメモリのサンプル出荷を開始した。

書込性能を2～3倍に高める「WriteBooster」や、ホストメモリを使いランダム読込を高める「Host Performance Booster」、スリープ時の消費電力をさらに低減する「UFS-DeepSleep Power Mode」などの機能を搭載。またシーケンシャルアクセス性能も従来モデルから30％向上しており、5G対応の次世代スマートフォンなど、高性能かつ低消費電力が求められる端末に向く。

その他、内部温度が上限に達した場合でもオーバーヒート抑制や内部デバイスへのダメージ軽減する「パフォーマンススロットリングイベント通知」や、データの整合性を維持する「エラー訂正機能」、NANDフラッシュの寿命を高める「ウェアレベリング機能「不良ブロック管理」などの機能を備える。

容量ラインナップは128GB、256GB、512GB、1TBの4種類。なお今回サンプル出荷が開始されたのは256GBモデルで、その他の製品も3月以降順次出荷が開始される。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
キオクシア株式会社： https://www.kioxia.com/