読込速度は従来から20％以上も向上

SK hynixは、現在のTLC NANDでは最大積層となる「176層4D TLC NANDフラッシュ」の開発に成功したことを発表した。1枚あたりの容量は512Gbで、容量を2倍にした1Tbモデルも予定されている。

NANDフラッシュの積層枚数が増えると、セル電流の減少や、チャンネルホールのねじれ、セル分布の劣化といった障害が発生するが、SK hynixではセル層の高さを抑える技術や、新たなレイヤータイミング制御技術、超精密なアライメント技術によって、これらの問題を解消した。

また高速化技術を組み合わせることで、セルの読込速度は従来から約20％向上。さらにプロセスを微細化することなくデータ転送速度も33％向上し、1.6Gbpsを達成したという。

なおサンプルの出荷は先月よりすでに開始され、2021年半ばには読込速度を70％、書込速度を35％向上したモバイルソリューション向け製品を提供開始。その後はコンシューマ向けSSDや、エンタープライズ向けSSDも拡充していく予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
SK hynix： http://www.skhynix.com/