シーケンシャル・ランダムとも大幅に性能が向上

Intelから、144層3D QLC NANDフラッシュを採用する最新NVMe M.2 SSD「Intel SSD 670p」シリーズがリリース。容量は512GB、1TB、2TBの3モデルがラインナップする。

「Intel SSD 665p」の後継モデルにあたる製品で、シーケンシャル読込は2,000MB/secから3,500MB/secへ、書込は2,000MB/secから2,700MB/secへ、ランダム読込は250,000 IOPSから310,000 IOPSへ、書込は250,000 IOPSから340,000 IOPSに向上。またキュー深度浅く、ワークフローが混在している、一般的な作業でパフォーマンスが出るよう最適化されているという。

フォームファクタはM.2 2280、バスインターフェイスはPCI-Express3.0（x4）。書込耐性は512GBが185TBW、1TBが370TBW、2TBが740TBWとされ、耐久性も「Intel SSD 665p」から20％以上引き上げられている。

消費電力はアクティブ時80mW、アイドル時25mW、動作温度は0～70℃、製品保証は5年間。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Intel Corporation： http://www.intel.com/