シリコン貫通電極技術により512GBの大容量を実現

Samsungは、High-Kメタルゲート技術を採用する次世代メモリDDR5 DRAMモジュールの開発に成功した。

絶縁体にHigh-Kメタルゲート技術を採用したことで、従来よりリーク電流が低下しており、消費電力は約13％低下。またシリコン貫通電極技術により16Gb DRAMチップを積層することで、最大512GBの大容量を実現している。

最大転送速度はDDR4メモリの2倍以上となる7,200Mbpsで、高速かつ大容量メモリが要求されるスーパーコンピューティング、人工知能、機械学習、データ分析アプリケーションなどの用途に最適。なおすでにSamsungではサンプル出荷を開始している。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/