CCDあたり96MB、合計192MBの大容量キャッシュを搭載

AMDの基調講演では、CPU向け最新技術として、SRAMキャッシュをダイの上に積層させる「3D V-CACHE」を発表。Ryzen 9 5900Xをベースにしたプロトタイプモデルが披露された。

「3D V-CACHE」技術を使用することで、従来のCCDの上にSRAMキャッシュを積層させることができる

「3D V-CACHE」では、シリコン貫通ビア方式を採用しており、従来の方法に比べてトランジスタのさらなる高密度化が可能。また熱特性やトランジスタ密度の問題も劇的に改善できるという。

Interconnectの密度を大幅に引き上げられるだけでなく、電源効率も改善できる

ちなみに今回デモに使用されたプロトタイプCPUには各CCDに64MBのSRAMが増設され、CCDあたり96MB（従来の32MB+64MB SRAM）、CPUあたりでは192MBもの大容量キャッシュを搭載。これにより全く同じコア/スレッド数、動作クロック（4GHz固定）にも関わらず、ゲームパフォーマンスは平均で15％も向上している。

実際のデモではフレームレートが12％向上（画像左）。また他のゲームでは最大25％もフレームレートが向上したものもあったという（画像右）

なお「3D V-CACHE」を採用した新CPUは、2021年末より生産が開始される予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
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