現行フラッシュ製品からシーケンシャル・ランダム性能が大幅向上

Western Digitalが先月末の「Flash Perspectives Event」にて公開した、最新のモバイル向け組み込みフラッシュドライブ「iNAND MC EU551 UFS 3.1」が正式リリース。7月より量産が開始される予定で、容量は128GB/256GB/512GBをラインナップする。

JEDECのUFS3.1規格に準拠したストレージで、高解像度カメラやAR/VR、ゲーム、8K動画といったハイパフォーマンスが要求される5Gスマートフォン・タブレット向けに提供される。特にHost Performance Booster（HPB）Ver.2.0の搭載によりランダム性能が強化され、現行製品からランダム読込性能は2倍に、ランダム書込性能は最大40％向上。複数アプリの同時起動のような複雑なワークロードをスムーズに実行できる。

また、第7世代のSmartSLCに基づいた最新のWrite Boosterテクノロジーを搭載し、シーケンシャル読込速度は30％、同書込速度は90％向上。アプリの起動時間やアップロード速度が短縮されるほか、5GやWi-Fi 6環境の高速なダウンロード速度、8K動画の快適再生、カメラの高速バーストモード撮影などをサポートする。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 絵踏 一
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