1Znm世代から高密度化し生産数も増加

SK hynixより、10nmの第4世代である1Anm（αnm）技術を用いた8Gb LPDDR4モバイルDRAMについて、今月からの量産開始がアナウンスされた。また、同社の大量生産品向けとして初めて、従来より微細な加工を可能にするEUV（極端紫外線）露光装置が採用されている。

現行主流の1Znm世代に比べ高密度化が可能なため、同サイズのウェハーから製造されるDRAMチップ数が約25％増加。コスト競争力の改善に加え、世界市場における半導体の需給状況緩和にも役立つとされる。

1Anm世代の8Gb LPDDR4モバイルDRAMは、2021年後半よりスマートフォンメーカー向けに製品を提供予定。また、2020年10月に当時世界初の次世代DRAMとして発表された「DDR5 DRAM」についても、来年初頭より1Anm技術を適用するとしている。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 絵踏 一
SK hynix： https://www.skhynix.com/