第5世代「BiCS FLASH」を採用

従来製品に比べてランダム読込は約30％、ランダム書込は約40％も向上させたモバイル・アプリケーション向けUFS Ver.3.1メモリがキオクシアからリリース。本日よりサンプル出荷が開始された。

NANDフラッシュにはキオクシア第5世代の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を採用。またホストメモリを活用して、ランダム読込性能を高める「HPB Ver.2.0」に対応することで、転送速度を引き上げている。

容量は256GBと512GBの2モデルがラインナップ。厚さは前者が0.8mm、後者でも1mmに抑えられており、ハイエンドスマートフォンなど性能と容量が要求されるアプリケーションに最適だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
キオクシア株式会社： https://www.kioxia.com/