3,600MHzの高クロックモデルもラインナップ

アルミニウム製ヒートシンクを搭載しながらヒートシンクなしのメモリとほぼ同等、全高を32mm抑えたDDR4メモリがPNYから。

ヒートシンクの表面には「Serrated Cut」デザインを採用し、放熱面積を拡張。コンパクトながら高い冷却性能を実現し、オーバークロック動作時でもメモリの温度を低く保つことができる。

動作クロックは2,666MHz（CAS 16/1.2V）、3,200MHz（CAS 16/1.35V）、3,600MHz（CAS 18/1.35V）の3種類。メモリプロファイルはIntel XMP2.0、モジュール当たりの容量は8GBと16GBで、それぞれ2枚1組のデュアルチャネルキットが用意される。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
PNY Technologies： https://www.pny.com.tw/