生産性は従来モデルから約20％向上

Samsungは、最先端の14nm EUV技術を採用する「DDR5 DRAMメモリ」の大量生産を開始した。

今回発表された「DDR5 DRAMメモリ」では、EUV層を5層に拡張することで、これまでに比べてウェハー全体の生産性を約20％向上しながら、最高のビット密度を実現。さらに前世代のDRAMノードと比較して消費電力も約20％削減されているという。

最大転送速度は「DDR4 DRAMメモリ」の2倍以上となる7,200Mbpsを達成し、データセンターやスーパーコンピューター、エンタープライズサーバーなど高速メモリが要求されるアプリケーションに最適。またSamusungでは、さらなる大容量化のため、今後14nm DRAMチップ密度を24Gbまで拡大する予定だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/