1.1V駆動の20/16Gbpsモデルも発表

Samsung Electronics Co., Ltd,（本社：韓国）は2022年7月14日、業界初となるメモリスピード24GbpsのGDDR6メモリを発表。サンプル出荷を開始した。

ハイエンドグラフィックスカードやゲーミングノートPC、ゲーム機などをターゲットにした製品で、EUV技術を採用した第3世代10nm（1z）プロセスで製造。またリーク電流を最小限に抑えるHigh-Kメタルゲート（HKMG）や、革新的な回路設計により従来の18Gbpsモデルに比べて約30％高速化されている。

容量は16ギガビット、帯域幅は1.1TB/secで、JEDEC仕様に準拠しているため従来モデルとの互換性が維持されているとのこと。

また動的電圧スイッチング（DVS）テクノロジを採用した1.1V駆動の20Gbpsモデルと16Gbpsモデルも同時リリース。こちらは標準的な1.35V駆動の製品に比べて電力効率は約20％向上しており、ノートPCとの組み合わせに最適だ。

文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： http://www.samsung.com/