キャッシュ用SSDは176層3D TLC NANDを採用

Micron Technology（本社：アメリカ アイダホ州）は2023年5月16日（現地時間）、PCI Express 4.0(x4)接続のデータセンター向けNVMe SSD「Micron 6500 ION」と「Micron XTR」を発表した。

「Micron 6500 ION」は、Micronの232層TLC NANDフラッシュを採用することで、QLC NANDモデルに匹敵する30.72TBの大容量を実現。またQLC NANDフラッシュモデルに比べてシーケンシャル書込は58％、読込レイテンシは34％、4Kランダム書込耐性は10倍以上も向上している。

さらに従来の200層以下のTLC NANDフラッシュを搭載するSSDに比べて低価格、かつ大容量・高密度化が可能になることから、初期導入コストだけでなくランニングコストも抑えることができるという。

フォームファクタはU.3（15mm）とE1.L（9.5mm）、最大容量は30.72TB、シーケンシャル読込6,800MB/s、書込5,000MB/s、ランダム読込1,000,000 IOPS、書込200,000 IOPS、レイテンシは読込70μs、書込15μs、消費電力は読込15W、書込20W、アイドル時5W。書込耐久性は0.3DWPD（100％ランダム書込）～1.0DWPD（100％シーケンシャル書込）、MTTFは250万時間、製品保証は5年間。

同時リリースされた「Micron XTR」は、ストレージクラスメモリに比べて安価ながらランダム書込時35DWPD、シーケンシャル書込時60DWPDという高い耐久性を実現したキャッシュ用NVMe SSD。

「Micron 6500 ION」と組み合わせることで、書込耐性を大幅に引き上げることができ、書込バッファやオンライントランザクション処理といった書込集中型ワークロードに対応できるようになる。

NANDフラッシュはMicron製176層3D TLC NAND、フォームファクタはU.3（15mm）、容量ラインナップは960GBと1.92TBで、転送速度はシーケンシャル読込6,800MB/s、書込5,600MB/s（960GBは5,300MB/s）、ランダム読込900,000 IOPS、書込350,000 IOPS（960GBは250,000 IOPS）、レイテンシは読込60μs、書込15μs。MTTFは250万時間、製品保証は5年間。

文： 編集部 池西 樹
Micron Technology： https://www.micron.com/