データ転送速度は2.4Gb/sを達成

SK hynix（本社：韓国）は2023年6月8日（現地時間）、昨年8月にサンプル出荷が開始された「236層NANDフラッシュメモリ」の量産開始を発表した。

今回量産が開始された「236層NANDフラッシュメモリ」は、従来の176層モデルに比べて製造効率は34％改善し、コスト面での競争力がさらに向上。またデータ転送速度も2.4Gb/sへと50％向上しており、より高速なSSDに対応する。

なお今後はPCI Express 5.0 SSDや大容量なサーバーSSDの他、スマートフォン向けのNANDフラッシュメモリにも238層技術を採用していくとしている。

文： 編集部 池西 樹
SK hynix： https://www.skhynix.com/