電力効率も25％向上

Micron Technology（本社：アメリカ アイダホ州）は2022年6月21日（現地時間）、232層TLC NANDフラッシュをベースにした「UFS 4.0モバイルストレージ」を発表した。

5G通信やAI処理に対応するハイエンドスマートフォン向けのモバイルストレージで、オリジナルコントローラや232層TLC NANDフラッシュ、最先端のファームウェアなどを組み合わせることで、シーケンシャル読込最高4,300MB/s、書込最高4,000MB/sの高速データ転送に対応する。

ちなみに前世代との比較では、転送速度は最大約2倍に向上している他、書込レイテンシは約10％、電力効率は約25％改善され、アプリケーションの応答性の改善やバッテリ駆動時間の延長といった効果も期待できる。

容量ラインナップは256GB、512GB、1TBの3モデル展開で、主要モバイルメーカーにはすでにサンプル出荷を開始。なお量産は2023年下半期中に開始される予定だ。

文： 編集部 池西 樹
Micron Technology： https://www.micron.com/