従来のHBM3から50％高速化

Micron Technology（本社：アメリカ アイダホ州）、およびマイクロンメモリジャパン株式会社（本社：東京都港区）は2023年7月26日、容量24GBの広帯域メモリ「HBM3 Gen2」のサンプル出荷を開始したことを発表した。

製造プロセスは最先端の1βノードを採用し、8層構造により24GBという大容量を実現。さらに、ピンあたりの帯域幅は9.6Gbps、全体の帯域幅は1.2TB/sを達成し、すでに出荷中のHBM3に比べて50％も高速化されている。

またHBM3の2倍のシリコン貫通電極（Through-Silicon-Vias：TSV）や、熱抵抗を改善するため金属密度を5倍に高めるなどの改善により、ワットパフォーマンスは2.5倍に向上しているという。

これによりGPT-4などの大規模言語モデル（LLM）の学習時間を短縮できるだけでなく、AI推論向けに高効率なインフラを構築でき、AIデータセンターの総所有コスト（TCO）を下げる効果も期待できる。なお量産は2024年初頭より開始され、積層数を12層にした容量36GBの製品も2024年第1四半期よりサンプル出荷が開始される予定。

文： 編集部 池西 樹
Micron Technology： https://www.micron.com/