従来の238層4D NANDから生産性は59％向上

SK hynix（本社：韓国）は2023年8月9日、アメリカ カリフォルニア州サンタクララで開催中の「フラッシュメモリサミット2023」（FMS2023）にて、321層4D TLC NANDフラッシュのサンプル展示を行ったことを発表した。

今回展示されたサンプルは容量1Tbの321層4D NANDで、従来の容量512Gb版238層4D NANDフラッシュに比べて生産性は59％向上。1枚のウェーハからより大容量のNANDフラッシュを製造できるようになるという。なお製品の量産は2025年前半より開始される予定。

またSK hynixはFMS2023に合わせて、生成AI向け高速ストレージとしてPCI Express 5.0接続のエンタープライズSSDや、UFS 4.0に対応した新型モバイルストレージを公開。さらにPCI Express 6.0やUFS 5.0といった次世代ストレージの開発にも着手しているという。

文： 編集部 池西 樹
SK hynix： http://www.skhynix.com/