最新技術採用により放熱性能は10％向上

SK hynix（本社：韓国）は2023年8月21日、AIアプリケーション向けメモリ「HBM3E」を発表。サンプル出荷を開始した。

昨年6月より量産が開始された「HBM3」の拡張モデルにあたる製品で、最大1.15TB/sの高速データ転送が可能。また最新技術「Advanced Mass Reflow Molded Underfill」を採用することで、放熱性能も10％向上している。

さらに「HBM3」との下位互換性も維持されているため、従来製品でも設計や構造を変更することなくそのまま流用することができる。なお製品の量産は2024年上半期より開始される予定だ。

文： 編集部 池西 樹
SK hynix： http://www.skhynix.com/