ワットパフォーマンスは33％向上

Micron Technology（本社：アメリカ アイダホ州）は2023年10月10日（現地時間）、最先端の1βプロセスノードを採用する7,200MT/s動作の16Gb DDR5メモリの提供を開始した。

今回発表されたDDR5メモリでは、最先端のHigh-k CMOS技術や4フェーズクロック機能、クロック同期機能などを備え、従来の4,800MT/sモデルに比べてパフォーマンスは最大50％、ワットパフォーマンスは33％向上。特にAIの推論処理やデータ分析、生成系AI、インメモリデータベースなどメモリパフォーマンスが要求されるアプリケーションの性能を改善できる。

なおMicronでは16Gb DDR5の他、1βプロセスノードを採用した製品として、16Gb/24Gb/32GbのDRAMダイを使用したDDR5 RDIMM/MCRDIMMや、16Gb/24Gb DRAMダイを使用したLPDDR5X、グラフィックスカード向けHBM3E/GDDR7などもラインナップしている。

文： 編集部 池西 樹
Micron Technology： https://www.micron.com/