TC NCF技術により厚さは従来の8層モデルと同等

Samsung Electronics Co., Ltd,（本社：韓国）は2024年2月27日（現地時間）、業界初となる12層HBM3Eメモリ「HBM3E 12H」を発表した。

AI処理などで使用される大容量かつ高速なHBM3Eメモリの新製品。転送速度は最大1,280GB/s、容量は36GBで、従来の8層モデルに比べて、転送速度、容量とも50％以上も向上。「HBM3E 12H」を使用することで、AIトレーニングの平均速度は34％、推論サービスの同時ユーザー数は11.5倍以上に拡大できると試算されている。

また最新の「TC NCF」（Thermal Compression Non-Conductive Film）技術を採用することで、チップ間のギャップは業界最小の7µmを達成。垂直方向の密度は8層モデルから20％以上改善し、厚さは同等に抑えられている。

なお同社ではすでに「HBM3E 12H」のサンプル出荷を開始しており、2024年上半期中に量産が開始される予定。

文： 編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： https://www.samsung.com/