ピークI/O性能3.6GB/sの第9世代TLC NAND採用

Micron Technology（本社：アメリカ アイダホ州）は2024年7月30日（現地時間）、第9世代Micron 3D TLC NANDフラッシュ（以降：Micron G9 NAND）を採用するNVMe M.2 SSD「Micron 2650 NVMe SSD」を発表した。

世界最速の転送速度を謳うMicron G9 NANDでは、ピークI/O性能は3.6GB/sに達し、競合の製品に比べて帯域幅は読込最大99％、書込最大88％も向上。さらにNANDフラッシュの密度は73％、チップサイズは28％削減され、データセンターやクライアント向けPCの他、モバイルデバイスや自動車システムなどの組み込み向け用途でも力を発揮する。

このMicron G9 NANDを搭載したSSDとして発表されたのが「Micron 2650 NVMe SSD」だ。PCI Express 4.0(x4)接続のクライアント向けNVMe M.2 SSDで、フォームファクタはM.2 2230/2242/2280、容量は256GB、512GB、1TBの3モデルがラインナップする。

転送速度はシーケンシャル読込最高7,000MB/s、書込最高6,000MB/s、ランダム読込最高100万IOPS、書込最高100万IOPS、レイテンシは読込50μs、書込12μsで、PCMark 10でのスコアは競合製品に比べてアクセスタイムは最大40％低減され、平均スコアは最大38％、平均帯域幅は最大36％向上しているという。

書込耐久性は256GBが200TBW、512GBが300TBW、1TBが600TBW、MTTFは200万時間。

文： 編集部 池西 樹
Micron Technology： http://www.micron.com/