最大2倍の書込性能を発揮

Samsung Electronics Co., Ltd,（本社：韓国）は2024年9月12日、積層型NANDフラッシュの新モデル「第9世代QLC V-NAND」の量産開始を発表した。

独自チャネルホールエッチング技術や、セル面積と周辺回路の最適化により、前世代のQLC V-NANDフラッシュに比べてビット密度は約86％向上。業界最高峰のビット密度を実現しており、大量のデータを扱うAIアプリケーションに向く。

また予測プログラム技術の改善により、データの入出力速度は約60％、書込性能は最大2倍に引き上げられている他、QLC NANDフラッシュの欠点だったデータ保持性能も約20％改善され、重要なデータを安全に保存できるようになった。

文： 編集部 池西 樹
Samsung Electronics Co., Ltd,： https://semiconductor.samsung.com/