1チップで1Tbの大容量を実現

SK hynix（本社：韓国）は2024年11月21日、容量1Tbの321層TLC NANDフラッシュの量産を開始した。なお製品出荷は2025年上半期より開始される予定だ。

321層TLC NANDを実現するため、SK hynixではメモリセルを3つに分割して接続する3プラグ工程技術や、応力の低い材料の開発、プラグ間のアラインメントを自動的に補正する技術などを採用している。

また現行の238層NANDフラッシュと同じ開発プラットフォームを流用することで、プロセスの切り替えによる影響を最小限に抑え、生産性は59％も向上。さらにデータ転送速度は12％、読込性能は13％、読込時の電力効率効率は10％改善されている。

文： 編集部 池西 樹
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