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| ［業界動向］ エルピーダ、グラフィックス用DRAM 50nm 2GビットGDDR5の開発に成功 |
| 2010年6月24日 16:46 更新 |
2010年6月24日プレスリリース |
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 エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区）は2010年6月24日、50nmプロセスおよび銅（Cu）配線技術の採用により、大容量、高速動作、低消費電力を実現した2GビットGDDR5「EDW2032BABG」の開発完了を発表した。
■グラフィックス用GDDR5 2Gbit開発を発表。量産は7-9月期予定
エルピーダは本日付けのプレスリリースにおいて、50nmプロセスおよび銅配線技術を採用する2Gbitのグラフィックス用GDDR5「EDW2032BABG」開発を発表した。
1Gbit GDDR3/GDDR5については、現在台湾Winbond Electronics Corporationに製造が委託されているが、今回開発された2Gbit GDDR5は広島工場にて7月のサンプル出荷開始、さらに7-9月期の量産開始がスケジューリングされている。 |
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TEXT：GDM編集部 松枝 清顕
エルピーダメモリ株式会社
http://www.elpida.com/
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■［発表］ エルピーダ、世界最大容量、4GビットDDR3 SDRAMの開発完了(2010/4/22)
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201004/22_05.html
■［発表］ ELPIDA、50nmプロセス同等レベルのコスト競争力を達成した65nm XS版DDR3メモリ開発完了(2009/12/18)
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/200912/18_01.html
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