エルミタージュ秋葉原［発表] エルピーダ、30nmプロセス採用4GB DDR3 SO-DIMMサンプル出荷開始

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［発表] エルピーダ、30nmプロセス採用4GB DDR3 SO-DIMMサンプル出荷開始
2010年12月21日 16:06 更新	2010年12月21日プレスリリース

　エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区）は2010年12月21日、30nmプロセス製造4GB DDR3 SO-DIMMのサンプル出荷開始を発表した。

■2GビットDDR3 SDRAM（×8ビット構成）、16個搭載のDDR3 SO-DIMM

最先端30nmプロセス採用4GバイトDDR3 SO-DIMMのサンプル出荷を開始
■http://www.elpida.com/ja/news/2010/12-21.html

　エルピーダは従来品40nmプロセスDRAMモジュールに比べ、動作時電流を20%削減でき、さらに待機時電流を30%削減可能な世界最小レベルの消費電流を実現する30nmプロセス採用の4GB DDR3 SO-DIMM「EBJ41UF8BDS0」のサンプル出荷開始を発表した。

　データ転送速度1866Mbpsを誇る「EBJ41UF8BDS0」は、2Gビット DDR3 SDRAM（×8ビット構成）、16個を搭載し、容量4GBの大容量を実現。電源電圧は1.5V±0.075Vで、バッテリー駆動時間の向上が求められるノートPCやネットブック、タブレットPCなどに最適化がなされている。

　なお今回サンプル出荷が開始された「EBJ41UF8BDS0」は、2011年1-3月期の量産開始がアナウンスされている。

TEXT：GDM編集部松枝清顕

エルピーダメモリ株式会社
http://www.elpida.com/ja/index.html

■［業界動向］エルピーダ、世界最小面積、最少消費電流の30nm 2GビットDDR3 SDRAM開発完了(2010/9/29)
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201009/29_02.html

EBJ41UF8BDS0