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プレスリリース
[リリース] エルピーダ、世界初25nmプロセス4GビットDDR3 SDRAM開発を完了
2011年9月22日 14:25 更新
2011年9月22日プレスリリース
業界動向
 
エルピーダ エルピーダメモリ株式会社(本社:東京都中央区)は2011年9月22日、世界初、25nmプロセスの4GビットDDR3 SDRAMの開発完了を発表した。


■世界最小のチップサイズを実現した25nmプロセス4GビットDDR3 SDRAM

世界初、25nmプロセス4GビットDDR3 SDRAMの開発を完了
http://www.elpida.com/ja/news/2011/09-22.html

 22日付けプレスリリースによるとエルピーダは、25nmプロセスを採用した世界最小チップサイズの4GビットDDR3 SDRAMについて、開発を完了させた事を発表した。

 4GビットDDR3 SDRAMは、半導体メモリのDRAMとしては最先端の回路線幅25nmプロセスの超微細加工技術を採用。2011年5月に発表された2GビットDDR3 SDRAMの倍容量とし、既存の30nmプロセス4GビットDDR3 SDRAMに比べ、ウェハ1枚あたりのチップ取得数量は約45%増加され、低コストでの生産に貢献するとしいている。

 特徴としては、30nmプロセス製品比で動作電流25〜30%、待機電流30〜50%低減され、PCのほか情報処理を大規模に行うデータセンターなどで使われる各種サーバーに搭載。さらにタブレット端末、UltraBook(超薄型ノートPC)にも採用される見通し。

 なお製品は、2011年12月からサンプル出荷および量産を開始する。

TEXT:GDM編集部 松枝 清顕

エルピーダメモリ株式会社
http://www.elpida.com/ja/

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