エルミタージュ秋葉原 [リリース] IntelとMicron、世界初20nmプロセス128G bit NANDフラッシュメモリ発表

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[リリース] IntelとMicron、世界初20nmプロセス128G bit NANDフラッシュメモリ発表
2011年12月7日 13:59 更新	2011年12月7日プレスリリース

　Intel（本社：アメリカカリフォルニア州）とMicron Technology（本社：アメリカアイダホ州）は2011年12月7日、NAND型フラッシュでは世界初となる20nmプロセル技術に基づく128Gbit MLC型NANDフラッシュメモリを発表。また64Gbit NANDフラッシュの量産も開始した。

■SSDにおいて費用対効果の高いストレージソリューションを提供

インテルとマイクロン、世界初の 20nm プロセス技術に基づく 128G ビット NAND フラッシュメモリーと 64G ビット NAND フラッシュメモリーの量産を開始
■http://newsroom.intel.com/community/ja_jp/blog/2011/12/06/

　現地時間の12月6日、IntelとMicronは、NAND型フラッシュテクノロジーでは世界初となる20nmプロセス技術に基づくMLC型128Gbitフラッシュメモリを発表した。これはIntelとMicronの合弁会社・IMフラッシュ・テクノロジー（IMFT）が開発した次世代NANDフラッシュ。

　業界初のモノリシック128Gbitダイは、指先サイズのパッケージに8個のダイを収め、1Tbitのデータ記憶が可能。333M転送/秒を満たす高速のONFI3.0 規格に準拠し、タブレット端末、スマートフォン、大容量 SSDなど費用対効果の高いストレージソリューションを提供する。

　また20nmプロセス技術に基づく64bit NANDフラッシュの量産も12月より開始され、2012年には128Gbit製品への移行を進める。

TEXT：GDM編集部松枝清顕

インテル株式会社
http://www.intel.co.jp/
Micron Technology
http://www.micron.com

■［リリース] Intel、MicronとシンガポールでNANDフラッシュメモリ事業を大幅に増強(2011/4/21)
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201104/21_04.html

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20nmプロセス128Gbit/64Gbit
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