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［リリース] TOSHIBA、ECCを搭載したSLC NANDフラッシュメモリ「BENAND」を発表
2012年1月6日 18:00 更新	2012年1月6日プレスリリース

　株式会社東芝（本社：東京都港区）は2012年1月6日、ECC（Error Correction Code：エラー訂正回路）を搭載したSLC NAND型フラッシュメモリ「BENAND」を発表した。容量は4Gbitと8Gbitの2種類、計8製品がラインナップされている。サンプル出荷は本日から、生産は3月以降順次開始される。

■産業機器などの組み込み用途向けのECC搭載SLC NANDフラッシュメモリ

2値技術を用いた組み込み用ECC搭載NAND型フラッシュメモリについて
■http://www.toshiba.co.jp/about/press/2012_01/pr_j0601.htm

　シンプルなインターフェイスと信頼性の高さから民生機器や産業機器のプログラム記録用メモリとして幅広く普及しているSLC NANDフラッシュメモリだが、一般的にはエラー訂正回路は搭載する機器側に用意する必要がある。最近ではメモリの微細化に伴い、512バイトあたり4ビット以上の訂正能力が必要となり、機器側のコントローラーに変更など開発側への負担が多くなっていた。

　今回発表された「BENAND」では、32nmプロセスのNAND型フラッシュメモリに、ECCを搭載することで、開発側の負担を軽減し、リアルタイムにNAND型フラッシュメモリを搭載することができるようになっている。ちなみに、インターフェイスに変更はなく、パッケージやピン配置も、一般のSLC NANDフラッシュメモリとの互換性を確保しているため、従来製品からの置き換えも容易だ。
　自作ユーザーにとってすぐに影響は無さそうだが、信頼性が求められるエンタープライズ向けやサーバー向けSSDなどでは、今後搭載製品が出てくるかもしれない。
　なお今回登場した製品は34nmプロセスだが、2012年夏以降には24nmプロセスの「BENAND」も投入する予定とのこと。

TEXT：GDM編集部池西樹

株式会社東芝
http://www.toshiba.co.jp/

■[リリース] 東芝、USB3.0インターフェイスに対応するフラッシュメモリ「TransMemory-EX」2月以降発売（2011/12/15）
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201112/15_03.html
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http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201109/13_04.html
■[リリース] グリーンハウス、高信頼設計USBフラッシュメモリ「GH-UFI」シリーズ発売（2011/7/13）
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201107/13_07.html

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