エルミタージュ秋葉原［リリース] エルピーダ、DRAM並に高速な不揮発性メモリ「ReRAM」の開発に成功

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［リリース] エルピーダ、DRAM並に高速な不揮発性メモリ「ReRAM」の開発に成功
2012年1月25日 11:32 更新	2012年1月24日プレスリリース

　エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区）は2012年1月24日、DRAM並に高速な不揮発性メモリ「ReRAM」の開発に成功したことを発表した。

■高速かつ耐久性も高い次世代メモリ「ReRAM」の開発に成功

新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功
■http://www.elpida.com/ja/news/2012/01-24r.html

　エルピーダが今回開発に成功した「ReRAM（Resistance Random Access Memory）」は、電圧を加えると抵抗値が変化する材料を素子として用いた次世代半導体メモリ。
　不揮発性メモリながら、書き換え速度は10nsとDRAM並に高速。さらに、書き換え回数はNAND Flashの10倍以上となる100万回以上を実現している。
　今回の試作品はプロセスルール50nmで作成され、容量は64Mbit。2013年には製造プロセス30nmでギガビットクラスの量産をめざすとのこと。
　なお、開発は、シャープ株式会社、独立行政法人産業技術総合研究所および東京大学との共同で行なわれている。

TEXT：GDM編集部池西樹

エルピーダメモリ株式会社
http://www.elpida.com/ja/

■[リリース] エルピーダ、世界初25nmプロセス4GビットDDR3 SDRAM開発を完了（2011/9/22）
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201109/22_04.html
■[リリース] エルピーダ、Nanya Technologyを特許侵害で提訴(2011/9/7)
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201109/07_04.html
■［発表] エルピーダ、30nmプロセス採用4GB DDR3 SO-DIMMサンプル出荷開始(2010/12/21)
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201012/21_05.html

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ELPIDA ReRAM