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[リリース] SanDisk、世界最小の128Gbit NANDフラッシュメモリの開発に成功

2012年2月23日 12:58 更新
2012年2月22日(現地時間)プレスリリース
 
 SanDisk Corporation(本社:アメリカ・カリフォルニア州)は2012年2月22日(現地時間)、世界最小の128Gbit NANDフラッシュメモリーチップの開発に成功したと発表した。


■19nmプロセスを採用し、170平方mmに1,280億のメモリーセルを搭載

SANDISK DEVELOPS WORLD’S SMALLEST 128Gb NAND FLASH MEMORY CHIP
http://sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2012/sandisk-develops-worlds-smallest-128gb-nand-flash-memory-chip

 サンディスクは2012年2月22日付けの発表で、世界最小サイズの128Gbit NANDフラッシュメモリーチップの開発に成功したことを発表した。

 NANDフラッシュには、3ビットセル方式(TLC)を採用。19nmプロセスで製造され、1セント硬貨よりも小さい170平方mmに1,280億個のメモリーセルを搭載している。さらに、サンディスクの特許技術「X3 technology」により、TLC方式では業界最高水準の書込速度18MB/secを実現するのも特徴。

 この128Gbit、TLCメモリは昨年末より出荷が開始されており、すでに量産体制に入っているとのこと。また、今回の研究成果の技術から派生した64Gbit NANDフラッシュについてはMicroSDとしてすでに発売が開始されている。

TEXT:GDM編集部 池西 樹

サンディスク株式会社
http://www.sandisk.co.jp/

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