SanDisk Corporation(本社:アメリカ・カリフォルニア州)は2012年2月22日(現地時間)、世界最小の128Gbit NANDフラッシュメモリーチップの開発に成功したと発表した。
■19nmプロセスを採用し、170平方mmに1,280億のメモリーセルを搭載
サンディスクは2012年2月22日付けの発表で、世界最小サイズの128Gbit NANDフラッシュメモリーチップの開発に成功したことを発表した。
NANDフラッシュには、3ビットセル方式(TLC)を採用。19nmプロセスで製造され、1セント硬貨よりも小さい170平方mmに1,280億個のメモリーセルを搭載している。さらに、サンディスクの特許技術「X3 technology」により、TLC方式では業界最高水準の書込速度18MB/secを実現するのも特徴。
この128Gbit、TLCメモリは昨年末より出荷が開始されており、すでに量産体制に入っているとのこと。また、今回の研究成果の技術から派生した64Gbit NANDフラッシュについてはMicroSDとしてすでに発売が開始されている。 |