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［リリース] Micron、DDR4 DRAMモジュールを発表。今年第四半期から量産開始
2012年5月8日 12:09 更新	2012年5月7日（現地時間）プレスリリース

　Micron Technology（本社：アメリカアイダホ州）は2012年5月7日（現地時間）、次世代メモリモジュールDDR4 DRAMを発表した。すでにサンプル出荷は開始されており、量産は2012年第4四半期より開始される予定。

■2,400MT/secから3,200MT/secの高速な転送速度を実現したDDR4 DRAM

Micron Announces Its First Fully Functional DDR4 DRAM Module
■http://news.micron.com/releaseDetail.cfm?ReleaseID=670776

　Micronより、次世代メモリモジュールとして期待されているDDR4 DRAMモジュールが発表された。すでに大手顧客に対してサンプル出荷が開始され、大量生産は2012年第4四半期を予定している。

　今回発表されたDDR4 DRAMモジュールは、Nanya Technology Corporation（本社：台湾）との共同開発で、製造プロセスは30nm。モジュール形式はRDIMM、LRDIMM、3DS、SO-DIMM、U-DIMMが用意される。なお転送速度は当初2,400MT/secから始まり、後にJEDECが定義する3,200MT/secに達する予定。

TEXT：GDM編集部池西樹

Micron Technology
http://www.micron.com

■［リリース] Micron、SATA3.0に対応したmSATAフォームファクタSSD「RealSSD C400 mSATA」シリーズ発表（2012/4/11）
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201204/11_01.html
■［リリース] IntelとMicron、世界初20nmプロセス128G bit NANDフラッシュメモリ発表（2011/12/7）
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201112/07_02.html

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