エルミタージュ秋葉原［リリース] バッファローメモリ、高い電断耐性を備える「MRAM」キャッシュを搭載した産業向けSSD発表

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［リリース] バッファローメモリ、高い電断耐性を備える「MRAM」キャッシュを搭載した産業向けSSD発表
2012年5月9日 18:53 更新	2012年5月9日プレスリリース

　株式会社バッファローメモリ（本社：愛知県名古屋市）は2012年5月8日、世界初MRAMキャッシュ搭載SSDの開発に成功したことを発表した。すでに特定顧客向けのサンプル販売が開始されている。

■電断耐性を飛躍的に高める「MRAM」キャッシュ搭載産業向けSSD

省エネ、高速化に貢献し、電断耐性を飛躍的に高める世界初ランダム不揮発性メモリ「MRAM」搭載SSDの販売について
■http://buffalomemory.jp/news/120508a.html

　株式会社バッファローメモリは、キャッシュにランダム不揮発性メモリ「Magnetic Random Access Memory」（MRAM）を搭載したSSDの開発に成功したことを発表した。

　MRAMは、磁性体素子採用することで、高速なアクセス速度、高集積性、不揮発性という優れた特性を持つランダム不揮発性メモリ。
　データ保持に給電が不要なため、SSDへの電源供給が遮断された場合でもキャッシュデータを維持でき、高い電断耐性を実現。さらにDRAMキャッシュでは、起動時にNANDフラッシュからキャッシュへデータ書き込みが必要なのに対して、MRAMではデータを保存しておけるため、起動時間の高速化にも効果がある。

　なお、本日（5月9日）より開催される「組込みシステム開発技術展」のバッファローメモリブース(No.西11-10)では製品展示とデモが行われている。

TEXT：GDM編集部池西樹

株式会社バッファローメモリ
http://buffalomemory.jp

■［リリース］－40℃～85℃の幅広い温度で動作する堅牢・セキュアな産業用SSD、Apacer「SDM4 MP」シリーズ（2012/5/7）
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201205/07_04.html
■［リリース] TOSHIBA、ECCを搭載したSLC NANDフラッシュメモリ「BENAND」を発表（2012/1/6）
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201201/06_09.html

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「MRAM」キャッシュ搭載産業向けSSD