エルミタージュ秋葉原 [リリース] ハイエンドタブレットに最適な19nmプロセスの組込み向けNANDフラッシュ、SanDisk「iNAND Extreme」

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[リリース] ハイエンドタブレットに最適な19nmプロセスの組込み向けNANDフラッシュ、SanDisk「iNAND Extreme」
2012年6月5日 13:09 更新	2012年6月5日（現地時間）プレスリリース

　SanDisk Corporation（本社：アメリカ・カリフォルニア州）は2012年6月5日（現地時間）、19nmプロセス技術で製造された組込み向けNANDフラッシュメモリ「iNAND Extreme」シリーズを発表した。今日から開催される「COMPUTEX TAIPEI 2012」に出展される予定で、ラインナップは容量別に16GBから128GBを用意。今夏の出荷開始がアナウンスされている。

■微細化で性能向上を果たしたeMMC4.5準拠の組込み向けNANDフラッシュ

iNAND Extremeシリーズ　（今夏出荷開始予定）
■http://www.sandisk.com/about-sandisk/press-room/press-releases/2012/sandisk-uses-worlds-most-advanced-memory-manufacturing-technology
■http://www.sandisk.com/business-solutions/inand-embedded-flash-drives/inand-extreme

　SanDiskより、19nmプロセス技術で製造された組込み向けNANDフラッシュメモリ「iNAND Extreme」シリーズが発表された。Tegra3などのモバイル向けクアッドコアプロセッサが要求する高いパフォーマンスをクリアし、ハイエンドのスマートフォンやタブレットのストレージに最適。容量は16GBから128GBまでをラインナップする。

　JEDEC最新のeMMC(Embedded MultiMediaCard)規格であるeMMC4.5に準拠し、シーケンシャル書込45MB/sec、シーケンシャル読込100MB/secを実現。ランダム性能は従来製品に倍増する大幅なパフォーマンスアップを達成したとする。

TEXT：GDM編集部絵踏一

SanDisk Corporation
http://www.sandisk.com/

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http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201204/24_13.html
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http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201204/18_04.html
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http://www.gdm.or.jp/pressrelease/201201/06_09.html

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iNAND Extremeシリーズ