16Gbと同パッケージで2倍の容量を提供可。過去40年でDRAM容量は50万倍に

Samsung Electronics Co., Ltd,（本社：韓国）は2023年9月1日（現地時間）、12nmクラスのプロセス技術を採用した32GbのDRAMチップ「32Gb DDR5 DRAM」の開発を発表した。2023年末までに量産が開始される予定。

12nmクラスのプロセス技術を使用したDRAMとしては、世界で初めて単一チップ32Gbを実現したDRAM。今年5月に量産が開始された16Gb DDR5 DRAMに比べ、同じパッケージサイズで2倍の容量を提供できる。同社によると「1TBのDRAMモジュール製造へ道を開く技術」という。

ちなみに1983年に最初の64kb DRAMを開発して以来、40年でDRAM容量を500,000倍に高めることに成功したことになる。

また、従来の16Gb DRAMを用いた128GBモジュール製造にはシリコン貫通電極（TSV）を用いた実装プロセスが必要だったところ、32Gb DRAMであればTSV不使用での製造が可能。これにより消費電力を約10％削減することができるとされる。

文： 編集部 絵踏 一
Samsung Electronics Co., Ltd,： https://www.samsung.com/