EG1VNEシリーズ（2020年4月上旬出荷開始）　製品情報（CFD） CSSD-M2M1TEG1VNE（1TB）　市場想定売価税込14,580円前後 CSSD-M2M5GEG1VNE（500GB）　市場想定売価税込7,980円前後

QLC NANDを採用しながら性能に妥協しないCFD「EG1VNE」

TLC NANDフラッシュに比べて、安価かつ大容量なことから、エントリークラスのSSDを中心に採用が進むQLC NANDフラッシュ。ただし、1つのセルに4bitのデータを保存するため、アクセス処理が複雑になり、転送速度を上げるのが難しいという欠点がある。

500GBと1TBの2モデルをラインナップする「EG1VNE」シリーズ。フォームファクタはM.2 2280で、接続インターフェイスはPCI-Express3.0（x4）

実際QLC NANDフラッシュを採用するNVMe M.2 SSDの先行モデルCrucial「P1」シリーズや、Intel「660p」シリーズのシーケンシャルアクセスは1,000MB/sec台が中心。最も高速なモデルでも2,000MB/secで頭打ちになる。SATA3.0（6Gbps）SSDに比べればそれでも十分高速だが、せっかくNVMe M.2 SSDを導入するのだから、エントリークラスの製品とは言え、もう少しパフォーマンスが欲しいと考える人は多いはずだ。

コントローラには、ハイエンドモデル向け「PS5012-E12」のリファイン版「PS5012-E12S」を搭載。チップ表面には冷却を補助する放熱板が実装されている

そこで、今回の主役であるCFD「EG1VNE」シリーズでは、コントローラにPhisonブランドのハイエンドIC「PS5012-E12」のリファイン版となる「PS5012-E12S」を搭載。さらにQLC NANDフラッシュの中でも高速な、データ転送レート667MT/sのMicron製3D QLC「N28」や、DDR3LメモリによるDRAMキャッシュ、競合モデルの2倍にあたる「大容量SLCキャッシュ」を組み合わせることで、パフォーマンス面でのデメリットを解消している。

NANDフラッシュには、標準的なSATA3.0（6Gbps）SSD向けの約1.6倍のデータ転送レートを誇るMicron製96層3D QLC「N28」を搭載

これにより、500GBモデルでもシーケンシャル読込2,000MB/sec、書込1,000MB/sec、ランダム読込95,000 IOPS、書込250,000 IOPS。1TBモデルでは、各3,400MB/sec、2,000MB/sec、120,000 IOPS、500,000 IOPSという、3D TLC NANDモデルと遜色ない転送速度を実現しているワケだ。

書込耐性がやや少なく感じるかもしれないが、これは最低保証値。実際、MTBFはエントリーモデルとしては長い180万時間で、保証もパッケージの通り3年保証が提供される

その他、ディスクの空き容量に合わせて、ガーベッジコレクションの実行を調整する「Smart Data Processing」や、データを先読みして読込性能を高める「Predict & Fetch」、データ書込性能を高める圧縮技術「Smart Zip」、データエラー訂正機能「Smart Refresh」などの機能を搭載。書込耐性は500GBモデルが最低45TBW、1TBモデルが最低100TBW、MTBFは180万時間で、3年間の製品保証が提供される。